트랜스폼, 지난달 고속 충전기 및 전력 어댑터용 GaN 소자 100만 개 출하

고출력, 멀티킬로와트 제품 생산 역량 및 시장 선도적인 지위 입증

2022-01-13 15:30 출처: Transphorm, Inc. (나스닥 TGAN)

골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어)--신뢰성 높은 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품을 공급하는 선도적인 글로벌 기업 트랜스폼(Transphorm Inc.)(미국장외시장: TGAN)이 2021년 12월에 100만 개 이상의 SuperGaN® 4세대 FET를 출하했다고 12일 발표했다.

이 같은 기록적인 성과는 트랜스폼이 앞서 언급한 적격 패키지용 고용량 사양과 증가하는 시장 점유율에 부응하는 역량을 증명한다. 또 2021년 하반기에는 2021년 상반기보다 출하량이 3배 이상 증가했다. 특히 트랜스폼이 꾸준하게 생태계를 확장해 온 것을 보여주는 FET 제품은 아시아태평양(APAC) 지역의 신규 및 기존 고객이 제조하는 45W~300W 범위의 전원 어댑터 및 고속 충전기 애플리케이션에 탑재된다.

소형 전력 변환 애플리케이션용 SuperGaN 제품군은 현재 3종의 650V 소자(480mΩ FET, 300mΩ FET 및 150mΩ FET)를 포함한다. 이들은 표준 PQFN 5x6 및 8x8 패키지로 제공되며 150°C 기준 JEDEC 인증 표준에 부합한다.

SuperGaN 소자는 다른 GaN 반도체(e-모드 및 IC GaN)과 비교할 때 다음과 같은 특징을 갖고 있다.

· 더 작아진 다이(die), 우수한 성능: 데이터에 따르면 SuperGaN 플랫폼은 낮은 온저항 소자보다 효율성이 높다.

· 설계 및 구동 용이성: SuperGaN 플랫폼의 특허받은 아키텍처는 범용 인터페이스를 탑재한 통합 실리콘 FET를 포함하며 과도한 양의 주변 회로가 필요치 않다. 이 인터페이스 덕분에 널리 사용되는 기성 드라이버 통합 컨트롤러 및 준공진형 플라이백(QRF), 능동 클램프 플라이백(ACF)과 같은 고효율 전원 어댑터 토폴로지의 요건을 맞출 수 있다.

· 동급 최고의 품질과 안정성: 300억 시간 이상의 작동을 보장하는 트랜스폼의 소자는 현장 FIT(고장 비율)이 0.3 이하이다. 이는 통계적으로 10억 현장 작업 시간 동안 0.3개 미만의 소자가 고장을 일으킨다는 의미와 같다.

프리밋 파리크(Primit Parikh) 트랜스폼 사장 겸 공동 설립자는 “공급업체 및 고객과의 협력으로 월 100만 개라는 대량 제조 목표를 달성하게 돼 매우 기쁘다. 이는 빠르게 성장하는 고속 충전기 및 전원 어댑터 부문의 시장 점유율 증가와 고성능, 고신뢰성 GaN 장치를 대규모로 재생산할 수 있는 트랜스폼의 역량을 증명한다“며 “저전력 및 멀티킬로와트 고전력 애플리케이션 모두에서 트랜스폼이 달성하고 있는 성과는 기술적인 리더십을 보여주기에 충분하다. 이는 지난 분기에 4500만달러 이상의 자금 조달과 더불어 2022년에도 계속 확장하고 성장하기 위한 강력하고 긍정적인 모멘텀의 역할을 할 것“이라고 덧붙였다.

트랜스폼의 전체 제품 포트폴리오는 다양한 패키지의 650V 및 900V 소자를 포함한다. 이러한 포트폴리오의 기술적 이점은 주로 회사의 수직적 통합으로 달성된다. 트랜스폼은 이처럼 GaN 반도체 산업에서 흔치 않은 운영 모델을 통해 소자 설계, 에피택셜 웨이퍼(epitaxial wafer, 출발 물질) 및 제조 공정을 관리한다. 그 결과 현재 가장 광범위한 전력 애플리케이션(전원 어댑터, 데이터 센터 및 게임 PSU, 암호화 채굴 장비, 자동차 변환기, 재생 가능 인버터 등) 범위에서 최대의 전력 전환 요건(45W~10kW 이상)을 지원하고 있다.

트랜스폼(Transphorm) 개요

GaN 혁신을 주도하는 글로벌 선도 기업 트랜스폼은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 최고의 성능과 신뢰성을 갖춘 고전압 GaN 반도체를 설계하고 제조한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 허가받아 최다 전력 GaN IP(지적 재산) 포트폴리오를 보유하고 있으며, 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 GaN 반도체 소자를 생산한다. 수직으로 통합된 장치 비즈니스 모델을 통해 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원 등 모든 개발 단계에서 혁신을 일으키고 있다. 트랜스폼은 혁신을 통해 전자제품이 실리콘의 한계를 넘게 해 99% 이상의 효율을 달성하고 전력 밀도를 40% 이상 높이는 한편, 시스템 비용을 20% 절감하고 있다. 트랜스폼 본사는 미국 캘리포니아주 골레타에 있으며 골레타와 일본 아이즈(Aizu)에 생산 시설이 있다. 자세한 정보는 웹사이트(www.transphormusa.com), 트위터(@transphormusa) 또는 위챗(@TransphormGaN)에서 확인할 수 있다.

미래예측진술

이 보도자료는 회사의 시장 지위, 미래 예상 성장을 포함한 기대 및 나스닥 상장 계획과 관련해 1934년 증권거래법 제21E항과 1933년 미국 증권법 제27A항에 의거한 미래예측진술을 포함한다. 미래예측진술은 일반적으로 예측성 진술을 포함하며 미래 사건이나 상황에 의존하거나 영향을 받으며, ‘~일 수 있다’, ‘~할 것이다’, ‘~해야 한다’, ‘~일 것이다’, ‘계획하다’, ‘믿다’, ‘의도하다’, ‘기대하다‘ 등의 표현과 기타 유사 표현이 사용된다. 역사적 사실이 아닌 진술은 미래예측진술이다. 미래예측진술은 위험성과 불확실성에 영향을 받으며 미래 실적을 보장하지 않는 현재의 믿음과 가정에 근거한다. 실제 결과는 다양한 요인으로 인해 미래예측진술 내용과 실질적으로 달라질 수 있다. 이러한 요인으로는 추가 자금 조달 요건 및 자본 활용 등 트랜스폼 운영과 관련된 위험; 경쟁; 트랜스폼의 지적재산권 보호 능력; 미국 증권거래위원회(SEC)에 제출한 자료에 기술된 기타 위험 등이 있으나 여기에 국한되지 않는다. 회사는 관련법에서 요구하는 경우를 제외하고 미래예측진술을 수정 또는 개정하거나 새로운 정보, 미래 사건 또는 그 밖의 사건을 반영한 다른 미래예측진술을 작성할 의무를 지지 않는다.

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