트랜스폼, 멀티 킬로와트급 애플리케이션용 GaN 전력 장치 출하량 50만개 돌파

GanN 플랫폼의 현장 안정성 향상과 함께 트랜스폼 솔루션 채택 증가

2019-11-08 15:22 출처: Transphorm Inc.

골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어) 2019년 11월 08일 -- 최상의 안정성을 구현하고 최초로 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 및 AEC-Q101 인증을 획득한 650V 질화갈륨(GaN) 반도체를 설계, 제조하며 업계를 선도하고 있는 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 자사의 고전압 GaN 전계효과 트랜지스터(FET) 출하량이 50만개를 넘어섰다고 발표했다.

우수한 품질과 안정성을 갖춘 트랜스폼의 GaN 플랫폼을 채택하는 고객사가 계속 증가하면서 이 같은 기록을 세우게 됐다.

고전압 GaN 채택

광범위한 산업, 반도체, IT 및 PC게임 업계 고객사가 트랜스폼의 GaN 기술로 구축된 장치를 생산하고 있다고 공표한 바 있다. 매력적인 시장으로 부상할 것으로 예상되는 GaN 솔루션에 대한 신뢰가 높아지고 있음을 보여주는 것이다.
 
실제로 인포마테크(Informa Tech) 산하 산업 분석 기관인 IHS 마킷 테크놀로지(IHS Markit Technology)에 따르면 GaN 전력 이산, 모듈 및 시스템 IC 매출이 2028년께 12억달러에 이를 것으로 예상된다. 이 중 약 7억5000만달러(전체 시장의 약 3분의 2)를 고전압 GaN 솔루션이 차지할 전망이다.[1]

프리밋 파리크(Primit Parikh) 트랜스폼 공동 설립자 겸 최고운영책임자(COO)는 “트랜스폼은 상시불통형(normally-off) 단일칩 실리콘 MOSFET이 대세일 때 업계에서 가장 강력한 상시불통형(normally-off) 더블칩 장치를 출시했다”며 “이 솔루션 채택을 공개적으로 발표한 기업 외에도 소비자 어댑터 업체인 파워 인테그레이션(Power Integrations)과 같은 유명 제조사의 잇단 채택에서 입증된 것처럼 상시불통형 더블칩 GaN 솔루션은 오늘날 가장 실용적인 고전압 GaN FET 설계로 인정받고 있다”고 강조했다. 그는 “실제로 트랜스폼의 GaN은 이 설계를 바탕으로 강력한 견고함과 높은 성능을 구현했으며 이로써 현재까지 50억 시간(<2 FIT)이 넘는 현장 안정성 데이터를 기록하고 있다”고 덧붙였다.

트랜스폼 솔루션의 채택 성공의 주된 동력은 트랜스폼 제품의 품질과 신뢰성(Quality and Reliability, 이하 Q+R)이다. Q+R로 표현되는 트랜스폼 솔루션의 품질과 신뢰성은 강력한 상시불통형 GaN 플랫폼과 에피택셜(epitaxial) 공정 제어 능력 및 제조 역량에 기반을 두고 있다. 이 기능은 일반 어댑터부터 자동차에 이르기까지 여러 산업 분야의 다양한 품질 요구 사항과 규모를 충족시키기에 적합하다. 트랜스폼은 이러한 요소를 바탕으로 탁월한 신뢰성과 설계성, 구동성, 재현성을 구현하는 GaN FET를 생산할 수 있다.

필립 주크(Philip Zuk) 세계 기술 마케팅/북미 판매 담당 부사장은 “GaN이 겨냥하고 있는 핵심 고전력 시장에서 성공을 거둔 데 이어 개인용 어댑터나 셋톱박스 등 그동안 반도체가 지원하지 못했던 급성장 시장 고객사와도 긴밀히 협력하고 있다”고 말했다. 그는 “지금까지 출하한 제품 대부분이 고전력 애플리케이션을 대상으로 했다는 점을 주목해달라”며 “650V FET는 50만여개는 저전력(100와트 이하) FET 400만개 이상과 맞먹는 것으로 트랜스폼의 양산 능력을 보여준다”고 강조했다.

현장 안정성

트랜스폼은 1년 전 고전압 GaN 전력 반도체에 대한 최초의 완전한 검증 데이터 세트를 공개했다. 트랜스폼은 오늘 최신 현장 안정성 데이터를 공식 발표했다. 현장에서 50억 시간 이상 작동한 트랜스폼의 GaN 기술은 현재 연 FIT 비율 <2.0, PPM <19.8 수준의 신뢰성을 보이고 있다. 장치 품질과 신뢰성에 대한 자세한 정보는 트랜스폼의 Q+R 웹페이지(Q+R webpage)에서 확인할 수 있다.

트랜스폼(Transphorm) 개요

트랜스폼(Transphorm)은 고전압 전력 변환 애플리케이션에 사용되는 최고 성능, 최고 신뢰도의 650V 및 900V GaN 반도체를 설계, 제조하고 있다. 대규모 IP 포트폴리오(1000개가 넘는 특허를 보유하고 있거나 출원 중)를 보유하고 있는 트랜스폼은 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증을 획득한 GaN FET을 생산하고 있다. 이는 수직으로 통합된 비즈니스 접근 방식으로 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원과 같은 모든 개발 단계에서 혁신을 가능하게 한다. 웹사이트: www.transphormusa.com 트위터: @transphormusa

[1] SiC/GaN 전력 반도체 보고서(SiC & GaN Power Semiconductors Report), IHS 마킷, 2019년 3월

비즈니스 와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20191107005291/en/

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